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日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體濺射設(shè)備單晶圓復(fù)合
簡要描述：

日本ULVAC愛發(fā)科uGmni-200/300半導(dǎo)體濺射設(shè)備單晶圓復(fù)合
日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體濺射設(shè)備單晶圓復(fù)合

  • 產(chǎn)品型號：uGmni-200/300
  • 廠商性質(zhì)：代理商
  • 更新時間：2024-11-25
  • 訪  問  量：509

詳細(xì)介紹

日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體濺射設(shè)備單晶圓復(fù)合

日本ULVAC愛發(fā)科半導(dǎo)體濺射設(shè)備單晶圓復(fù)合


單晶圓復(fù)合模塊式
成膜設(shè)備uGmni-200, 300

通過在同一個傳輸核心上安裝濺射和蝕刻等多種不同工藝模塊并盡可能使用通用組件，我們通過減少備件數(shù)量并通過相同操作提高可用性，實現(xiàn)了電子元件制造過程的更高效率我們將意識到這一點。


特征

  • 多個處理室可組合用于濺射、蝕刻、灰化、CVD 等。

    　　*根據(jù)工藝的不同，可能無法組合，請咨詢我們。

  • 所有處理室均由 ULVAC 制造

  • 兼容最大Φ300mm的基材

用途

下面是一個例子。

  • 功率器件晶種和金屬層形成濺射

  • MEMS 傳感器 PZT 成膜及加工蝕刻

  • 光學(xué)器件VCSEL加工蝕刻

  • 高密度安裝除渣灰化

  • 通信設(shè)備 絕緣膜沉積及加工 PE-CVD


規(guī)格

*這是每個工藝室的示例。
我們可以向您咨詢，不限于以下內(nèi)容。以下值因規(guī)格而異。


到達圧力階段
溫度		面內(nèi)分布
（參考值）		成膜、加工或應(yīng)用實例等離子源
濺6.7E-5Pa以下冷卻（冷卻性能單獨討論）~700度±1～5%金屬、介電膜、絕緣膜直流
脈沖直流
射頻
蝕刻機1.0E-3Pa以下-20~200度±5%以下金屬、介電膜、絕緣膜、Si系中國共產(chǎn)黨
ISM
（感應(yīng)超級磁控管）
NLD
（中性環(huán)路放電）
引座員0.7Pa以下50-250度±5％除浮渣、除膠渣、犧牲層去除、表面改性、PR去除、PI處理微波
20-80度微波+CCP
化學(xué)氣相沉積2Pa以下60-400度±1%以下絕緣膜（SiNx、SiOx）陽極耦合
雙頻


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